Spintronic memristors for neuromorphic circuits based on the angular variation of tunnel magnetoresistance - Université Grenoble Alpes
Article Dans Une Revue Nanoscale Année : 2021

Spintronic memristors for neuromorphic circuits based on the angular variation of tunnel magnetoresistance

Bernard Diény
SPINtronique et TEchnologie des Composants
M. Mansueto
A. Chavent
  • Fonction : Auteur
S. Auffret
  • Fonction : Auteur
I. Joumard
  • Fonction : Auteur
L. Vila
  • Fonction : Auteur
R. C Sousa
  • Fonction : Auteur
L. D Buda-Prejbeanu
CV
I. L Prejbeanu
  • Fonction : Auteur

Résumé

In this study, a new type of compact magnetic memristor is demonstrated.

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]
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Bernard Dieny  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

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Soumis le : vendredi 1 octobre 2021-08:54:29

Dernière modification le : mardi 3 septembre 2024-11:14:08

Archivage à long terme le : dimanche 2 janvier 2022-18:22:32

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Dates et versions

hal-03360800 , version 1 (01-10-2021)

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Citer

Bernard Diény, M. Mansueto, A. Chavent, S. Auffret, I. Joumard, et al.. Spintronic memristors for neuromorphic circuits based on the angular variation of tunnel magnetoresistance. Nanoscale, 2021, 13 (26), pp.11488-11496. ⟨10.1039/D1NR00346A⟩. ⟨hal-03360800⟩

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