Spintronic memristors for neuromorphic circuits based on the angular variation of tunnel magnetoresistance - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Nanoscale Année : 2021

Spintronic memristors for neuromorphic circuits based on the angular variation of tunnel magnetoresistance

Bernard Diény
M. Mansueto
A. Chavent
  • Fonction : Auteur
S. Auffret
  • Fonction : Auteur
I. Joumard
  • Fonction : Auteur
L. Vila
  • Fonction : Auteur
R. C Sousa
  • Fonction : Auteur
L. D Buda-Prejbeanu
I. L Prejbeanu
  • Fonction : Auteur

Résumé

In this study, a new type of compact magnetic memristor is demonstrated.
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Origine Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-03360800 , version 1 (01-10-2021)

Identifiants

Citer

Bernard Diény, M. Mansueto, A. Chavent, S. Auffret, I. Joumard, et al.. Spintronic memristors for neuromorphic circuits based on the angular variation of tunnel magnetoresistance. Nanoscale, 2021, 13 (26), pp.11488-11496. ⟨10.1039/D1NR00346A⟩. ⟨hal-03360800⟩
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