Spintronic memristors for neuromorphic circuits based on the angular variation of tunnel magnetoresistance - Université Grenoble Alpes
Article Dans Une Revue Nanoscale Année : 2021

Spintronic memristors for neuromorphic circuits based on the angular variation of tunnel magnetoresistance

Bernard Diény
SPINtronique et TEchnologie des Composants
M. Mansueto
A. Chavent
  • Fonction : Auteur
S. Auffret
  • Fonction : Auteur
I. Joumard
  • Fonction : Auteur
L. Vila
  • Fonction : Auteur
R. C Sousa
  • Fonction : Auteur
L. D Buda-Prejbeanu
CV
I. L Prejbeanu
  • Fonction : Auteur

Résumé

In this study, a new type of compact magnetic memristor is demonstrated.

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]
Fichier principal
Vignette du fichier
Revised article Nanoscale - 2nd revision-changes accepted.pdf (1.27 Mo) Télécharger le fichier
Origine Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Bernard Dieny  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-03360800

Soumis le : vendredi 1 octobre 2021-08:54:29

Dernière modification le : lundi 16 décembre 2024-15:37:29

Archivage à long terme le : dimanche 2 janvier 2022-18:22:32

Télécharger pour visualiser

Dates et versions

hal-03360800 , version 1 (01-10-2021)

Identifiants

Citer

Bernard Diény, M. Mansueto, A. Chavent, S. Auffret, I. Joumard, et al.. Spintronic memristors for neuromorphic circuits based on the angular variation of tunnel magnetoresistance. Nanoscale, 2021, 13 (26), pp.11488-11496. ⟨10.1039/D1NR00346A⟩. ⟨hal-03360800⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CEA UGA CNRS IRIG CEA-GRE
60 Consultations
286 Téléchargements

Altmetric

Partager

More