Origin of Defect Tolerance in InAs/GaAs Quantum Dot Lasers Grown on Silicon - Université Grenoble Alpes
Article Dans Une Revue Journal of Lightwave Technology Année : 2020

Origin of Defect Tolerance in InAs/GaAs Quantum Dot Lasers Grown on Silicon

Zizhuo Liu
  • Fonction : Auteur
Constanze Hantschmann
  • Fonction : Auteur
Mingchu Tang
  • Fonction : Auteur
Ying Lu
Jae-Seong Park
  • Fonction : Auteur
Mengya Liao
  • Fonction : Auteur
Shujie Pan
  • Fonction : Auteur
Ana Sánchez
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 896644
Richard Beanland
  • Fonction : Auteur
Mickaël Martin
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique
Thierry Baron
Laboratoire des technologies de la microélectronique
Siming Chen
  • Fonction : Auteur
Alwyn Seeds
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Richard Penty
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Ian White
  • Fonction : Auteur
Huiyun Liu
  • Fonction : Auteur

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Soumis le : lundi 23 novembre 2020-13:49:12

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hal-03019494 , version 1 (23-11-2020)

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Citer

Zizhuo Liu, Constanze Hantschmann, Mingchu Tang, Ying Lu, Jae-Seong Park, et al.. Origin of Defect Tolerance in InAs/GaAs Quantum Dot Lasers Grown on Silicon. Journal of Lightwave Technology, 2020, 38, pp.240-248. ⟨10.1109/JLT.2019.2925598⟩. ⟨hal-03019494⟩

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