Origin of Defect Tolerance in InAs/GaAs Quantum Dot Lasers Grown on Silicon - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Lightwave Technology Année : 2020

Origin of Defect Tolerance in InAs/GaAs Quantum Dot Lasers Grown on Silicon

Zizhuo Liu
  • Fonction : Auteur
Constanze Hantschmann
  • Fonction : Auteur
Mingchu Tang
  • Fonction : Auteur
Ying Lu
Jae-Seong Park
  • Fonction : Auteur
Mengya Liao
  • Fonction : Auteur
Shujie Pan
  • Fonction : Auteur
Ana Sánchez
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 896644
Richard Beanland
  • Fonction : Auteur
Siming Chen
  • Fonction : Auteur
Alwyn Seeds
  • Fonction : Auteur
Richard Penty
  • Fonction : Auteur
Ian White
  • Fonction : Auteur
Huiyun Liu
  • Fonction : Auteur

Dates et versions

hal-03019494 , version 1 (23-11-2020)

Identifiants

Citer

Zizhuo Liu, Constanze Hantschmann, Mingchu Tang, Ying Lu, Jae-Seong Park, et al.. Origin of Defect Tolerance in InAs/GaAs Quantum Dot Lasers Grown on Silicon. Journal of Lightwave Technology, 2020, 38, pp.240-248. ⟨10.1109/JLT.2019.2925598⟩. ⟨hal-03019494⟩
6 Consultations
0 Téléchargements

Altmetric

Partager

Gmail Mastodon Facebook X LinkedIn More