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Epitaxial Growth of High‐Quality AlGaInAs‐Based Active Structures on a Directly Bonded InP‐SiO 2 /Si Substrate

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-02917597
Contributeur : Marielle Clot <>
Soumis le : mercredi 19 août 2020 - 15:07:55
Dernière modification le : vendredi 21 août 2020 - 03:19:04

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Citation

Claire Besancon, Nicolas Vaissière, Cecilia Dupre, Frank Fournel, Loic Sanchez, et al.. Epitaxial Growth of High‐Quality AlGaInAs‐Based Active Structures on a Directly Bonded InP‐SiO 2 /Si Substrate. physica status solidi (a), Wiley, 2019, 217 (3), pp.1900523. ⟨10.1002/pssa.201900523⟩. ⟨hal-02917597⟩

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