Epitaxial Growth of High‐Quality AlGaInAs‐Based Active Structures on a Directly Bonded InP‐SiO 2 /Si Substrate - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue physica status solidi (a) Année : 2019

Epitaxial Growth of High‐Quality AlGaInAs‐Based Active Structures on a Directly Bonded InP‐SiO 2 /Si Substrate

Domaines

Physique [physics]

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Soumis le : mercredi 19 août 2020-15:07:55

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:08:41

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Dates et versions

hal-02917597 , version 1 (19-08-2020)

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Citer

Claire Besancon, Nicolas Vaissière, Cecilia Dupre, Frank Fournel, Loic Sanchez, et al.. Epitaxial Growth of High‐Quality AlGaInAs‐Based Active Structures on a Directly Bonded InP‐SiO 2 /Si Substrate. physica status solidi (a), 2019, 217 (3), pp.1900523. ⟨10.1002/pssa.201900523⟩. ⟨hal-02917597⟩

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