Article Dans Une Revue
Journal of Applied Physics
Année : 2005
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Soumis le : jeudi 7 novembre 2019-11:48:43
Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-10:08:48
Citer
D. Barba, B. Salem, D. Morris, V. Aimez, J. Beauvais, et al.. Ion channeling effects on quantum well intermixing in phosphorus-implanted InGaAsP∕InGaAs∕InP. Journal of Applied Physics, 2005, 98 (5), pp.054904. ⟨10.1063/1.2033143⟩. ⟨hal-02353348⟩
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