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Ion channeling effects on quantum well intermixing in phosphorus-implanted InGaAsP∕InGaAs∕InP

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-02353348
Contributeur : Marielle Clot <>
Soumis le : jeudi 7 novembre 2019 - 11:48:43
Dernière modification le : lundi 20 juillet 2020 - 12:34:52

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CNRS | CEA | LTM | UGA

Citation

D. Barba, B. Salem, D. Morris, V. Aimez, J. Beauvais, et al.. Ion channeling effects on quantum well intermixing in phosphorus-implanted InGaAsP∕InGaAs∕InP. Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2005, 98 (5), pp.054904. ⟨10.1063/1.2033143⟩. ⟨hal-02353348⟩

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