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Growth and characterization of InAs quantum dots on GaAs (100) emitting at 1.31μm

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-02353320
Contributeur : Marielle Clot <>
Soumis le : jeudi 7 novembre 2019 - 11:43:32
Dernière modification le : vendredi 17 juillet 2020 - 09:10:10

Identifiants

  • HAL Id : hal-02353320, version 1

Collections

CNRS | CEA | LTM | UGA

Citation

V Celibert., B. Salem., G Guillot., C Bru-Chevallier., L Grenouillet., et al.. Growth and characterization of InAs quantum dots on GaAs (100) emitting at 1.31μm. Materials Research Society , 2003, Materials Research Society Symposium - Proceedings, 794, pp. 207-212. ⟨hal-02353320⟩

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