Growth and characterization of InAs quantum dots on GaAs (100) emitting at 1.31μm - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Materials Research Society Année : 2003

Growth and characterization of InAs quantum dots on GaAs (100) emitting at 1.31μm

V Celibert.
  • Fonction : Auteur
B. Salem
Laboratoire des technologies de la microélectronique
G Guillot.
  • Fonction : Auteur
C Bru-Chevallier.
  • Fonction : Auteur
L Grenouillet.
  • Fonction : Auteur
P Duvaut.
  • Fonction : Auteur
P Gilet.
  • Fonction : Auteur
A. Million.
  • Fonction : Auteur

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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Soumis le : jeudi 7 novembre 2019-11:43:32

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:13

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Dates et versions

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Identifiants

  • HAL Id : hal-02353320 , version 1

Citer

V Celibert., B. Salem, G Guillot., C Bru-Chevallier., L Grenouillet., et al.. Growth and characterization of InAs quantum dots on GaAs (100) emitting at 1.31μm. Materials Research Society , 2003, Materials Research Society Symposium - Proceedings, 794, pp. 207-212. ⟨hal-02353320⟩

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