Strong carrier confinement in self-assembled InAs/InP(001) elongated quantum islands emitting at 1.55 μm - Université Grenoble Alpes
Article Dans Une Revue International Conference on Indium Phosphide and Related Materials Année : 2002

Strong carrier confinement in self-assembled InAs/InP(001) elongated quantum islands emitting at 1.55 μm

B. Salem
Laboratoire des technologies de la microélectronique
G Guillot.
  • Fonction : Auteur
G Bremond.
  • Fonction : Auteur
C Monat.
  • Fonction : Auteur
M Gendry.
  • Fonction : Auteur
G. Hollinger.
  • Fonction : Auteur

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Marielle Clot  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-02353277

Soumis le : jeudi 7 novembre 2019-11:35:24

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:01:11

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02353277 , version 1 (07-11-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02353277 , version 1

Citer

B. Salem, G Guillot., G Bremond., C Monat., M Gendry., et al.. Strong carrier confinement in self-assembled InAs/InP(001) elongated quantum islands emitting at 1.55 μm. International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, 2002, Conference Proceedings, pp. 589-592. ⟨hal-02353277⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CEA UGA CNRS LTM
19 Consultations
0 Téléchargements

Partager

More