Strong carrier confinement in self-assembled InAs/InP(001) elongated quantum islands emitting at 1.55 μm - Université Grenoble Alpes
Article Dans Une Revue International Conference on Indium Phosphide and Related Materials Année : 2002

Strong carrier confinement in self-assembled InAs/InP(001) elongated quantum islands emitting at 1.55 μm

B. Salem
Laboratoire des technologies de la microélectronique
G Guillot.
  • Fonction : Auteur
G Bremond.
  • Fonction : Auteur
C Monat.
  • Fonction : Auteur
M Gendry.
  • Fonction : Auteur
G. Hollinger.
  • Fonction : Auteur

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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Soumis le : jeudi 7 novembre 2019-11:35:24

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Dates et versions

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Identifiants

  • HAL Id : hal-02353277 , version 1

Citer

B. Salem, G Guillot., G Bremond., C Monat., M Gendry., et al.. Strong carrier confinement in self-assembled InAs/InP(001) elongated quantum islands emitting at 1.55 μm. International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, 2002, Conference Proceedings, pp. 589-592. ⟨hal-02353277⟩

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