4H-SiC Nanowire arrays formation by nanoimprint lithography, plasma etching and sacrificial oxidation - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2019
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02344210 , version 1 (04-11-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02344210 , version 1

Citer

Maximilien Cottat, Antonios Stavrinidis, Cécile Gourgon, Camille Petit-Etienne, Maria Androulidaki, et al.. 4H-SiC Nanowire arrays formation by nanoimprint lithography, plasma etching and sacrificial oxidation. WocSdice 2019, Jun 2019, Cabourg, France. ⟨hal-02344210⟩
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