Atomic-scale simulations of He and H2 plasma modification of SiO2 thin films for an innovative ONO dielectric stack etching process

F. Pinzan; R. Blanc; F. Leverd; E. Despiau-Pujo

Communication dans un congrès

Atomic-scale simulations of He and H2 plasma modification of SiO2 thin films for an innovative ONO dielectric stack etching process

F. Pinzan ¹ R. Blanc ² F. Leverd ² E. Despiau-Pujo ¹

1 LTM - Laboratoire des technologies de la microélectronique

2 ST-CROLLES - STMicroelectronics [Crolles]

Type de document :

Communication dans un congrès

Domaine :

Sciences de l'ingénieur [physics] / Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Liste complète des métadonnées

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-02337587
Contributeur : Marielle Clot <>
Soumis le : mardi 29 octobre 2019 - 15:12:21
Dernière modification le : vendredi 6 novembre 2020 - 04:21:22

Atomic-scale simulations of He and H2 plasma modification of SiO2 thin films for an innovative ONO dielectric stack etching process

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