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Communication dans un congrès

Atomic-scale simulations of He and H2 plasma modification of SiO2 thin films for an innovative ONO dielectric stack etching process

Type de document :
Communication dans un congrès
Liste complète des métadonnées

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-02337587
Contributeur : Marielle Clot <>
Soumis le : mardi 29 octobre 2019 - 15:12:21
Dernière modification le : samedi 1 août 2020 - 03:02:21

Identifiants

  • HAL Id : hal-02337587, version 1

Collections

CNRS | CEA | LTM | UGA

Citation

F. Pinzan, R. Blanc, F. Leverd, E. Despiau-Pujo. Atomic-scale simulations of He and H2 plasma modification of SiO2 thin films for an innovative ONO dielectric stack etching process. Plasma Etch Strip in Microtechnology (PESM), Minatec, May 2019, Grenoble, France. ⟨hal-02337587⟩

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