Atomic-scale simulations of He and H2 plasma modification of SiO2 thin films for an innovative ONO dielectric stack etching process - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2019

Atomic-scale simulations of He and H2 plasma modification of SiO2 thin films for an innovative ONO dielectric stack etching process

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-02337587

Soumis le : mardi 29 octobre 2019-15:12:21

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:26:09

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02337587 , version 1 (29-10-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02337587 , version 1

Citer

F. Pinzan, R. Blanc, F. Leverd, E. Despiau-Pujo. Atomic-scale simulations of He and H2 plasma modification of SiO2 thin films for an innovative ONO dielectric stack etching process. Plasma Etch Strip in Microtechnology (PESM), Minatec, May 2019, Grenoble, France. ⟨hal-02337587⟩

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