Fabrication and characterization of « bottom-up » and « top-down » GeSn nanowires
F. Bassani
(1)
,
T. Haffner
(1)
,
E. Martinez
(2)
,
P. Gentile
(3)
,
E. Robin
(4)
,
Y. Guerfi
(1)
,
E. Eustache
(1)
,
S. David
(1)
,
J. Aubin
(2)
,
J.M. Hartmann
(2)
,
T. Baron
(1)
,
B. Salem
(1)
1
LTM -
Laboratoire des technologies de la microélectronique
2 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
3 SiNaps - Silicon Nanoelectronics Photonics and Structures
4 LEMMA - Laboratoire d'Etude des Matériaux par Microscopie Avancée
2 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
3 SiNaps - Silicon Nanoelectronics Photonics and Structures
4 LEMMA - Laboratoire d'Etude des Matériaux par Microscopie Avancée
F. Bassani
- Fonction : Auteur
- PersonId : 1188804
- IdHAL : franck-bassani
E. Martinez
- Fonction : Auteur
- PersonId : 1287023
- IdHAL : eugenie-martinez
- ORCID : 0000-0003-0889-2237
P. Gentile
- Fonction : Auteur
- PersonId : 170318
- IdHAL : pascal-gentile
- ORCID : 0000-0002-1547-4247
- IdRef : 202987515
S. David
- Fonction : Auteur
- PersonId : 742757
- IdHAL : sylvain-david-in2p3
T. Baron
- Fonction : Auteur
- PersonId : 739925
- IdHAL : thierry-baron
- ORCID : 0000-0001-5005-6596
- IdRef : 130661813
B. Salem
- Fonction : Auteur
- PersonId : 174867
- IdHAL : bassem-salem
- ORCID : 0000-0001-8038-3205
- IdRef : 092216625