Fabrication and characterization of « bottom-up » and « top-down » GeSn nanowires - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2019

Fabrication and characterization of « bottom-up » and « top-down » GeSn nanowires

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02332971 , version 1 (25-10-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02332971 , version 1

Citer

F. Bassani, T. Haffner, E. Martinez, P. Gentile, E. Robin, et al.. Fabrication and characterization of « bottom-up » and « top-down » GeSn nanowires. EMRS Fall Meeting 2019, 2019, Varsovie, Poland. ⟨hal-02332971⟩
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