High-quality Epitaxial Growth of AlGaInAs-based Active Structure on a Directly-Bonded InPoSi Substrate
Claire Besancon
(1)
,
Jean Decobert
(2)
,
Jean-Pierre Le Goec
,
Nicolas Vaissière
,
Cecilia Dupre
(3)
,
Viviane Muffato
(4)
,
Frank Fournel
(3)
,
Christophe Jany
(3)
,
Franck Bassani
(5)
,
Sylvain David
(5)
,
Thierry Baron
(5)
1
Alcatel-Lucent Bell Labs
2 III-V Lab - Alcatel-Thalès III-V lab
3 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
4 CEA - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
5 LTM - Laboratoire des technologies de la microélectronique
2 III-V Lab - Alcatel-Thalès III-V lab
3 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
4 CEA - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
5 LTM - Laboratoire des technologies de la microélectronique
Jean-Pierre Le Goec
- Fonction : Auteur
Nicolas Vaissière
- Fonction : Auteur
- PersonId : 797432
- ORCID : 0000-0003-3568-1670
Frank Fournel
- Fonction : Auteur
- PersonId : 928863
Franck Bassani
- Fonction : Auteur
- PersonId : 766293
- ORCID : 0000-0001-8688-1328
Sylvain David
- Fonction : Auteur
- PersonId : 1086
- IdHAL : sylvain-david
Thierry Baron
- Fonction : Auteur
- PersonId : 739925
- IdHAL : thierry-baron
- ORCID : 0000-0001-5005-6596
- IdRef : 130661813