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Communication dans un congrès

High-quality Epitaxial Growth of AlGaInAs-based Active Structure on a Directly-Bonded InPoSi Substrate

Type de document :
Communication dans un congrès
Liste complète des métadonnées

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-02330625
Contributeur : Marielle Clot <>
Soumis le : jeudi 24 octobre 2019 - 10:04:00
Dernière modification le : samedi 1 août 2020 - 03:04:05

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Claire Besancon, Jean Decobert, Jean-Pierre Le Goec, Nicolas Vaissière, Cecilia Dupre, et al.. High-quality Epitaxial Growth of AlGaInAs-based Active Structure on a Directly-Bonded InPoSi Substrate. 2019 Compound Semiconductor Week (CSW), May 2019, Nara, Japan. pp.1-2, ⟨10.1109/ICIPRM.2019.8818994⟩. ⟨hal-02330625⟩

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