High-quality Epitaxial Growth of AlGaInAs-based Active Structure on a Directly-Bonded InPoSi Substrate - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2019

High-quality Epitaxial Growth of AlGaInAs-based Active Structure on a Directly-Bonded InPoSi Substrate

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Marielle Clot  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-02330625

Soumis le : jeudi 24 octobre 2019-10:04:00

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:20:35

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02330625 , version 1 (24-10-2019)

Identifiants

Citer

Claire Besancon, Jean Decobert, Jean-Pierre Le Goec, Nicolas Vaissière, Cecilia Dupre, et al.. High-quality Epitaxial Growth of AlGaInAs-based Active Structure on a Directly-Bonded InPoSi Substrate. 2019 Compound Semiconductor Week (CSW), May 2019, Nara, Japan. pp.1-2, ⟨10.1109/ICIPRM.2019.8818994⟩. ⟨hal-02330625⟩

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