Controlling the Current Conduction Asymmetry of HfO 2 Metal–Insulator–Metal Diodes by Interposing Al 2 O 3 Layer - Université Grenoble Alpes
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2019

Controlling the Current Conduction Asymmetry of HfO 2 Metal–Insulator–Metal Diodes by Interposing Al 2 O 3 Layer

Domaines

Physique [physics]

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Soumis le : mardi 22 octobre 2019-11:35:37

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Dates et versions

hal-02325464 , version 1 (22-10-2019)

Identifiants

Citer

Woojin Jeon, Olivier Salicio, Ahmad Chaker, Patrice Gonon, Christophe Vallée. Controlling the Current Conduction Asymmetry of HfO 2 Metal–Insulator–Metal Diodes by Interposing Al 2 O 3 Layer. IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 66 (1), pp.402-406. ⟨10.1109/TED.2018.2881220⟩. ⟨hal-02325464⟩

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