Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Electron Devices
Année : 2019
Marielle Clot : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-02325464
Soumis le : mardi 22 octobre 2019-11:35:37
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:25:58
Citer
Woojin Jeon, Olivier Salicio, Ahmad Chaker, Patrice Gonon, Christophe Vallée. Controlling the Current Conduction Asymmetry of HfO 2 Metal–Insulator–Metal Diodes by Interposing Al 2 O 3 Layer. IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 66 (1), pp.402-406. ⟨10.1109/TED.2018.2881220⟩. ⟨hal-02325464⟩
20
Consultations
0
Téléchargements