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Communication dans un congrès

High Aspect Ratio and Low Damage III-V/Ge Heterostructure Via Etching

Type de document :
Communication dans un congrès
Liste complète des métadonnées

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-02324782
Contributeur : Marielle Clot <>
Soumis le : mardi 22 octobre 2019 - 09:37:01
Dernière modification le : samedi 1 août 2020 - 03:04:05

Identifiants

  • HAL Id : hal-02324782, version 1

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Citation

M. De Lafontaine, G. Gay, E. Pargon, C. Petit-Etienne, N. Rochat, et al.. High Aspect Ratio and Low Damage III-V/Ge Heterostructure Via Etching. Plasma Etch and Strip in Microelectronics (PESM), 11th International Workshop, May 2019, Grenoble, France. ⟨hal-02324782⟩

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