High Aspect Ratio and Low Damage III-V/Ge Heterostructure Via Etching - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2019

High Aspect Ratio and Low Damage III-V/Ge Heterostructure Via Etching

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02324782 , version 1 (22-10-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02324782 , version 1

Citer

M. De Lafontaine, G. Gay, E. Pargon, C. Petit-Etienne, N. Rochat, et al.. High Aspect Ratio and Low Damage III-V/Ge Heterostructure Via Etching. Plasma Etch and Strip in Microelectronics (PESM), 11th International Workshop, May 2019, Grenoble, France. ⟨hal-02324782⟩
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