High Aspect Ratio and Low Damage III-V/Ge Heterostructure Via Etching
M. De Lafontaine
(1, 2, 3)
,
G. Gay
(1)
,
E. Pargon
(1)
,
C. Petit-Etienne
(1)
,
N. Rochat
(4)
,
M. Volatier
(2, 3)
,
M. Darnon
(1, 2, 3)
,
S. Fafard
(2, 3)
,
V. Aimez
(5, 2, 3)
,
A. Jaouad
(2, 3)
1
LTM -
Laboratoire des technologies de la microélectronique
2 LN2 - Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes
3 3IT - Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke]
4 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
5 UdeS - Université de Sherbrooke
2 LN2 - Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes
3 3IT - Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke]
4 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
5 UdeS - Université de Sherbrooke
E. Pargon
- Fonction : Auteur
- PersonId : 180469
- IdHAL : erwine-pargon
- ORCID : 0000-0002-6337-9180
C. Petit-Etienne
- Fonction : Auteur
- PersonId : 745766
- IdHAL : camille-petit-etienne
M. Darnon
- Fonction : Auteur
- PersonId : 17906
- IdHAL : maxime-darnon
- ORCID : 0000-0002-6188-7157
- IdRef : 124051758
V. Aimez
- Fonction : Auteur
- PersonId : 182750
- IdHAL : vaimez
- ORCID : 0000-0002-1594-3242
- IdRef : 144755300