Article Dans Une Revue
Materials
Année : 2019
Labo Lmgp : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-02183969
Soumis le : lundi 15 juillet 2019-17:05:52
Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:12
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02183969 , version 1
- DOI : 10.3390/ma12142232
- PUBMEDCENTRAL : PMC6678076
Citer
Getnet Kacha Deyu, Jonas Hunka, Hervé Roussel, Joachim Brötz, Daniel Bellet, et al.. Electrical Properties of Low-Temperature Processed Sn-Doped In2O3 Thin Films: The Role of Microstructure and Oxygen Content and the Potential of Defect Modulation Doping. Materials, 2019, 12 (14), pp.2232. ⟨10.3390/ma12142232⟩. ⟨hal-02183969⟩
115
Consultations
0
Téléchargements