Quasi insitu XPS characterization applied to PEALD selective deposition of TiO2 - The IMPACT 300mm project and platform: merging academic research and industrial applications in microelectronic - Université Grenoble Alpes
Communication Dans Un Congrès Année : 2019

Quasi insitu XPS characterization applied to PEALD selective deposition of TiO2 - The IMPACT 300mm project and platform: merging academic research and industrial applications in microelectronic

Bernard Pelissier
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique

Domaines

Physique [physics]

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Soumis le : jeudi 2 mai 2019-10:10:57

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:17:36

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Dates et versions

hal-02117215 , version 1 (02-05-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02117215 , version 1

Citer

Bernard Pelissier. Quasi insitu XPS characterization applied to PEALD selective deposition of TiO2 - The IMPACT 300mm project and platform: merging academic research and industrial applications in microelectronic. 30th World Nano Conference, May 2019, Zurich, Switzerland. ⟨hal-02117215⟩

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