O-band InAs/GaAs quantum dot laser monolithically integrated on exact (0 0 1) Si substrate - Université Grenoble Alpes
Article Dans Une Revue Journal of Crystal Growth Année : 2019

O-band InAs/GaAs quantum dot laser monolithically integrated on exact (0 0 1) Si substrate

Keshuang Li
  • Fonction : Auteur
Zizhuo Li
  • Fonction : Auteur
Mingchu Tang
  • Fonction : Auteur
Mengya Li
  • Fonction : Auteur
Dongyoung Kim
Huiwen Deng
  • Fonction : Auteur
Ana Sanchez
  • Fonction : Auteur
R. Beanland
  • Fonction : Auteur
Siming Chen
  • Fonction : Auteur
Jiang Wu
  • Fonction : Auteur
Alwyn Seeds
  • Fonction : Auteur
Huiyun Li
  • Fonction : Auteur

Dates et versions

hal-02108916 , version 1 (24-04-2019)

Identifiants

Citer

Keshuang Li, Zizhuo Li, Mingchu Tang, Mengya Li, Dongyoung Kim, et al.. O-band InAs/GaAs quantum dot laser monolithically integrated on exact (0 0 1) Si substrate. Journal of Crystal Growth, 2019, 511, pp.56-60. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2019.01.016⟩. ⟨hal-02108916⟩
25 Consultations
0 Téléchargements

Altmetric

Partager

More