O-band InAs/GaAs quantum dot laser monolithically integrated on exact (0 0 1) Si substrate - Université Grenoble Alpes
Article Dans Une Revue Journal of Crystal Growth Année : 2019

O-band InAs/GaAs quantum dot laser monolithically integrated on exact (0 0 1) Si substrate

Keshuang Li
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Zizhuo Li
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Mingchu Tang
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Mengya Li
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Dongyoung Kim
Huiwen Deng
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Ana Sanchez
  • Fonction : Auteur
R. Beanland
  • Fonction : Auteur
Mickaël Martin
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique
Thierry Baron
Laboratoire des technologies de la microélectronique
Siming Chen
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Jiang Wu
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Alwyn Seeds
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Huiyun Li
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hal-02108916 , version 1 (24-04-2019)

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Citer

Keshuang Li, Zizhuo Li, Mingchu Tang, Mengya Li, Dongyoung Kim, et al.. O-band InAs/GaAs quantum dot laser monolithically integrated on exact (0 0 1) Si substrate. Journal of Crystal Growth, 2019, 511, pp.56-60. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2019.01.016⟩. ⟨hal-02108916⟩

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