MeV Fe ion implantation of InGaAsP/InP heterostructures for terahertz time-domain spectroscopy applications - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année :

MeV Fe ion implantation of InGaAsP/InP heterostructures for terahertz time-domain spectroscopy applications

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Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02015757 , version 1 (12-02-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02015757 , version 1

Citer

Maxime Bernier, Andre Fekecs, Denis Morris, F. Schiettekatte, M. Chicoine, et al.. MeV Fe ion implantation of InGaAsP/InP heterostructures for terahertz time-domain spectroscopy applications. 17th International Conference on Ion Beam Modification of Materials, Aug 2010, Montréal, Canada. ⟨hal-02015757⟩
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