Electrical Control of g -Factor in a Few-Hole Silicon Nanowire MOSFET - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Nano Letters Année : 2015

Electrical Control of g -Factor in a Few-Hole Silicon Nanowire MOSFET

Domaines

Systèmes mésoscopiques et effet Hall quantique [cond-mat.mes-hall]

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-02009388

Soumis le : mercredi 6 février 2019-12:26:49

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-20:52:58

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Dates et versions

hal-02009388 , version 1 (06-02-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02009388 , version 1

Citer

B. Voisin, R. Maurand, S. Barraud, M. Vinet, X. Jehl, et al.. Electrical Control of g -Factor in a Few-Hole Silicon Nanowire MOSFET. Nano Letters, 2015, 16 (1), pp.88-92. ⟨hal-02009388⟩

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