Article Dans Une Revue
Journal of Vacuum Science & Technology A
Année : 2014
Marielle Clot : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-02000814
Soumis le : mercredi 30 janvier 2019-18:17:01
Dernière modification le : mardi 3 septembre 2024-11:16:05
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02000814 , version 1
Citer
Priyanka Periwal, Bassem Salem, Franck Bassani, Thierry Baron, Jean-Paul Barnes. High density and taper-free boron doped Si 1− x Ge x nanowire via two-step growth process. Journal of Vacuum Science & Technology A, 2014, 32 (4), pp.041401. ⟨hal-02000814⟩
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