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Evolution of Bulk c-Si Properties during the Processing of GaP/c-Si Heterojunction Cell

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01991905
Contributeur : Marielle Clot <>
Soumis le : jeudi 24 janvier 2019 - 10:40:47
Dernière modification le : lundi 31 août 2020 - 15:09:50

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Renaud Varache, Maxime Darnon, Médéric Descazeaux, Mickaël Martin, Thierry Baron, et al.. Evolution of Bulk c-Si Properties during the Processing of GaP/c-Si Heterojunction Cell. Energy Procedia, Elsevier, 2015, 77, pp.493-499. ⟨10.1016/j.egypro.2015.07.070⟩. ⟨hal-01991905⟩

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