Chemical depth profiling and 3D reconstruction of III-V heterostructures selectively grown on non-planar Si substrates by MOCVD
V. Gorbenko
(1)
,
M. Veillerot
(2)
,
A. Grenier
,
G. Audoit
(3)
,
W. Hourani
(4)
,
E. Martinez
(3)
,
R. Cipro
(1)
,
M. Martin
(1)
,
S. David
(1)
,
X. Bao
,
F. Bassani
(1)
,
T. Baron
(1)
,
J.-P. Barnes
1
LTM -
Laboratoire des technologies de la microélectronique
2 UGA [2016-2019] - Université Grenoble Alpes [2016-2019]
3 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
4 FEMTO-ST - Franche-Comté Électronique Mécanique, Thermique et Optique - Sciences et Technologies (UMR 6174)
2 UGA [2016-2019] - Université Grenoble Alpes [2016-2019]
3 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
4 FEMTO-ST - Franche-Comté Électronique Mécanique, Thermique et Optique - Sciences et Technologies (UMR 6174)
A. Grenier
- Fonction : Auteur
E. Martinez
- Fonction : Auteur
- PersonId : 1287023
- IdHAL : eugenie-martinez
- ORCID : 0000-0003-0889-2237
S. David
- Fonction : Auteur
- PersonId : 742757
- IdHAL : sylvain-david-in2p3
X. Bao
- Fonction : Auteur
F. Bassani
- Fonction : Auteur
- PersonId : 1188804
- IdHAL : franck-bassani
T. Baron
- Fonction : Auteur
- PersonId : 739925
- IdHAL : thierry-baron
- ORCID : 0000-0001-5005-6596
- IdRef : 130661813
J.-P. Barnes
- Fonction : Auteur