Electrical characterisation of horizontal and vertical gate-all-around Si/SiGe nanowires field effect transistors
B. Salem
(1)
,
G. Rosaz
(1)
,
N. Pauc
(2)
,
P. Gentile
(2)
,
P. Periwal
(1)
,
A. Potié
(1)
,
F. Bassani
(1)
,
S. David
(1)
,
T. Baron
(1)
B. Salem
- Fonction : Auteur
- PersonId : 174867
- IdHAL : bassem-salem
- ORCID : 0000-0001-8038-3205
- IdRef : 092216625
F. Bassani
- Fonction : Auteur
- PersonId : 1188804
- IdHAL : franck-bassani
S. David
- Fonction : Auteur
- PersonId : 742757
- IdHAL : sylvain-david-in2p3
T. Baron
- Fonction : Auteur
- PersonId : 739925
- IdHAL : thierry-baron
- ORCID : 0000-0001-5005-6596
- IdRef : 130661813