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300 mm InGaAs-on-insulator substrates fabricated using direct wafer bonding and the Smart Cut™ technology

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01991862
Contributeur : Marielle Clot <>
Soumis le : jeudi 24 janvier 2019 - 10:23:42
Dernière modification le : samedi 1 août 2020 - 03:03:42

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Citation

Julie Widiez, Sébastien Sollier, Thierry Baron, Mickaël Martin, Gweltaz Gaudin, et al.. 300 mm InGaAs-on-insulator substrates fabricated using direct wafer bonding and the Smart Cut™ technology. Japanese Journal of Applied Physics, Japan Society of Applied Physics, 2016, 55 (4S), pp.04EB10. ⟨10.7567/JJAP.55.04EB10⟩. ⟨hal-01991862⟩

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