InGaAs-OI Substrate Fabrication on a 300 mm Wafer - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Low Power Electronics and Applications Année : 2016

InGaAs-OI Substrate Fabrication on a 300 mm Wafer

A. Lecestre
N. Mallet
  • Fonction : Auteur
Sebastien Sollier
  • Fonction : Auteur
Gweltaz Gaudin
  • Fonction : Auteur
Marie-Christine Roure
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Pascal Besson
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Sylvie Favier
  • Fonction : Auteur
Amelie Salaun
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Maryline Cordeau
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Christellle Veytizou
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Ludovic Ecarnot
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Daniel Delprat
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Ionut Radu
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Thomas Signamarcheix
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01991855 , version 1 (24-01-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01991855 , version 1

Citer

A. Lecestre, N. Mallet, G. Larrieu, Sebastien Sollier, Julie Widiez, et al.. InGaAs-OI Substrate Fabrication on a 300 mm Wafer. Journal of Low Power Electronics and Applications, 2016, 6 (4), pp.19. ⟨hal-01991855⟩
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