InGaAs-OI Substrate Fabrication on a 300 mm Wafer - Université Grenoble Alpes
Article Dans Une Revue Journal of Low Power Electronics and Applications Année : 2016

InGaAs-OI Substrate Fabrication on a 300 mm Wafer

A. Lecestre
N. Mallet
  • Fonction : Auteur
Sebastien Sollier
  • Fonction : Auteur
Gweltaz Gaudin
  • Fonction : Auteur
Marie-Christine Roure
  • Fonction : Auteur
Pascal Besson
  • Fonction : Auteur
Sylvie Favier
  • Fonction : Auteur
Amelie Salaun
  • Fonction : Auteur
Maryline Cordeau
  • Fonction : Auteur
Christellle Veytizou
  • Fonction : Auteur
Ludovic Ecarnot
  • Fonction : Auteur
Daniel Delprat
  • Fonction : Auteur
Ionut Radu
  • Fonction : Auteur
Thomas Signamarcheix
  • Fonction : Auteur

Dates et versions

hal-01991855 , version 1 (24-01-2019)

Identifiants

Citer

A. Lecestre, N. Mallet, G. Larrieu, Sebastien Sollier, Julie Widiez, et al.. InGaAs-OI Substrate Fabrication on a 300 mm Wafer. Journal of Low Power Electronics and Applications, 2016, 6 (4), pp.19. ⟨10.3390/jlpea6040019⟩. ⟨hal-01991855⟩
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