N2 plasma passivation of GaAs (100) surfaces and air exposure study of GaN/GaAs structures by XPS, LEED, pAR-XPS and PL measurements - Université Grenoble Alpes
Poster De Conférence Année : 2018

N2 plasma passivation of GaAs (100) surfaces and air exposure study of GaN/GaAs structures by XPS, LEED, pAR-XPS and PL measurements

H. Mehdi
Institut Pascal
G. Monier
Institut Pascal
B. Gruzza
  • Fonction : Auteur
C. Robert-Goumet
Institut Pascal
L. Bideux
P. E. Hoggan
  • Fonction : Auteur
J. Leymarie
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 835166
F. Réveret
M. A. Mahjoub
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique
B. Pelissier
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique

Domaines

Physique [physics]

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01960840

Soumis le : mercredi 19 décembre 2018-15:48:07

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:42:06

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01960840 , version 1 (19-12-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01960840 , version 1

Citer

H. Mehdi, G. Monier, B. Gruzza, C. Robert-Goumet, L. Bideux, et al.. N2 plasma passivation of GaAs (100) surfaces and air exposure study of GaN/GaAs structures by XPS, LEED, pAR-XPS and PL measurements. ELSPEC 2018, Jun 2018, Biarritz, France. ⟨hal-01960840⟩

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