Communication Dans Un Congrès Année : 2017

PAR-XPS investigations of ultrathin SiO2 layers grown by PEALD on SiGe and Ge

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01960779

Soumis le : mercredi 19 décembre 2018-15:31:02

Dernière modification le : samedi 27 septembre 2025-18:39:51

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01960779 , version 1 (19-12-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01960779 , version 1

Citer

M. A. Mahjoub, B. Pelissier, S. Labau, F. Bassani, T. Baron. PAR-XPS investigations of ultrathin SiO2 layers grown by PEALD on SiGe and Ge. ECASIA 2017, Sep 2017, Montpellier, France. ⟨hal-01960779⟩

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