Using plasma etching (RIE-ALE) and ions in Plasma ALD tool for Area Selective Deposition - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2018

Using plasma etching (RIE-ALE) and ions in Plasma ALD tool for Area Selective Deposition

Domaines

Physique [physics]

Marielle Clot  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01960470

Soumis le : mercredi 19 décembre 2018-14:12:16

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-18:23:57

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01960470 , version 1 (19-12-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01960470 , version 1

Citer

C. Vallee, R. Gassilloud, R. Vallat, V. Pesce, S. Belahcen, et al.. Using plasma etching (RIE-ALE) and ions in Plasma ALD tool for Area Selective Deposition. EMRS Fall meeting – SYMPOSIUM N: New ALD approaches towards functional materials and devices, Sep 2018, Varsovie, Poland. ⟨hal-01960470⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CEA UGA CNRS LTM NANOMATERIALS DRT LETI CEA-GRE
69 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More