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Communication dans un congrès

InAs/GaSb thin layers directly grown on nominal (001)-Si substrate by MOCVD for the fabrication of InAs FINFET

Type de document :
Communication dans un congrès
Liste complète des métadonnées

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01954906
Contributeur : Marielle Clot <>
Soumis le : vendredi 14 décembre 2018 - 09:11:44
Dernière modification le : jeudi 6 août 2020 - 03:38:04

Identifiants

  • HAL Id : hal-01954906, version 1

Citation

Tiphaine Cerba, Mickaël Martin, Jeremy Moeyaert, Reynald Alcotte, Bassem Salem, et al.. InAs/GaSb thin layers directly grown on nominal (001)-Si substrate by MOCVD for the fabrication of InAs FINFET. 19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE 2018), Jun 2018, Nara, Japan. ⟨hal-01954906⟩

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