InAs/GaSb thin layers directly grown on nominal (001)-Si substrate by MOCVD for the fabrication of InAs FINFET - Université Grenoble Alpes
Communication Dans Un Congrès Année : 2018

InAs/GaSb thin layers directly grown on nominal (001)-Si substrate by MOCVD for the fabrication of InAs FINFET

Xavier Chevalier
Geoffrey Lombard
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01954906 , version 1 (14-12-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01954906 , version 1

Citer

Tiphaine Cerba, Mickaël Martin, Jeremy Moeyaert, Reynald Alcotte, Bassem Salem, et al.. InAs/GaSb thin layers directly grown on nominal (001)-Si substrate by MOCVD for the fabrication of InAs FINFET. 19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE 2018), Jun 2018, Nara, Japan. ⟨hal-01954906⟩
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