MOCVD grown InAs/GaAs quantum dots on Si substrate - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2018
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01954896 , version 1 (14-12-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01954896 , version 1

Citer

O. Abouzaid, J. Moeyaert, B. Salem, S. David, F. Bassani, et al.. MOCVD grown InAs/GaAs quantum dots on Si substrate. NANO-structures and nanomaterials SElf-Assembly, NanoSEA 2018, 2018, Carqueiranne, France. ⟨hal-01954896⟩
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