Growth of Germanium-Tin nanowires by Chemical Vapor Deposition via the VLS mechanism
T. Haffner
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F. Bassani
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P. Gentile
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A. Gassenq
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N. Pauc
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E. Martinez
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S. David
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T. Baron
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Eric Robin
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B. Salem
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LTM -
Laboratoire des technologies de la microélectronique
2 SiNaps - Silicon Nanoelectronics Photonics and Structures
3 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
4 LEMMA - Laboratoire d'Etude des Matériaux par Microscopie Avancée
2 SiNaps - Silicon Nanoelectronics Photonics and Structures
3 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
4 LEMMA - Laboratoire d'Etude des Matériaux par Microscopie Avancée
F. Bassani
- Fonction : Auteur
- PersonId : 1188804
- IdHAL : franck-bassani
P. Gentile
- Fonction : Auteur
- PersonId : 170318
- IdHAL : pascal-gentile
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- IdRef : 202987515
A. Gassenq
- Fonction : Auteur
E. Martinez
- Fonction : Auteur
- PersonId : 1287023
- IdHAL : eugenie-martinez
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S. David
- Fonction : Auteur
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- IdHAL : sylvain-david-in2p3
T. Baron
- Fonction : Auteur
- PersonId : 739925
- IdHAL : thierry-baron
- ORCID : 0000-0001-5005-6596
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Eric Robin
- Fonction : Auteur
- PersonId : 172851
- IdHAL : robin-eric
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B. Salem
- Fonction : Auteur
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- IdHAL : bassem-salem
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