Design of Strain-Engineered GeSn/GeSiSn Quantum Dots for Mid-IR Direct Bandgap Emission on Si Substrate - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Nanoscale Research Letters Année : 2018

Design of Strain-Engineered GeSn/GeSiSn Quantum Dots for Mid-IR Direct Bandgap Emission on Si Substrate

Reem Al-Saigh
  • Fonction : Auteur
Mourad Baira
  • Fonction : Auteur

Dates et versions

hal-01954884 , version 1 (14-12-2018)

Identifiants

Citer

Reem Al-Saigh, Mourad Baira, Bassem Salem, Bouraoui Ilahi. Design of Strain-Engineered GeSn/GeSiSn Quantum Dots for Mid-IR Direct Bandgap Emission on Si Substrate. Nanoscale Research Letters, 2018, 13 (1), ⟨10.1186/s11671-018-2587-1⟩. ⟨hal-01954884⟩
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