Article Dans Une Revue
Nanoscale Research Letters
Année : 2018
Marielle Clot : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01954884
Soumis le : vendredi 14 décembre 2018-08:51:45
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:26:09
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01954884 , version 1
- DOI : 10.1186/s11671-018-2587-1
- PUBMEDCENTRAL : PMC5991110
Citer
Reem Al-Saigh, Mourad Baira, Bassem Salem, Bouraoui Ilahi. Design of Strain-Engineered GeSn/GeSiSn Quantum Dots for Mid-IR Direct Bandgap Emission on Si Substrate. Nanoscale Research Letters, 2018, 13 (1), ⟨10.1186/s11671-018-2587-1⟩. ⟨hal-01954884⟩
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