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Design of Strain-Engineered GeSn/GeSiSn Quantum Dots for Mid-IR Direct Bandgap Emission on Si Substrate

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01954884
Contributeur : Marielle Clot <>
Soumis le : vendredi 14 décembre 2018 - 08:51:45
Dernière modification le : samedi 1 août 2020 - 03:03:05

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Reem Al-Saigh, Mourad Baira, Bassem Salem, Bouraoui Ilahi. Design of Strain-Engineered GeSn/GeSiSn Quantum Dots for Mid-IR Direct Bandgap Emission on Si Substrate. Nanoscale Research Letters, SpringerOpen, 2018, 13 (1), ⟨10.1186/s11671-018-2587-1⟩. ⟨hal-01954884⟩

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