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Helium plasma modification of Si and Si 3 N 4 thin films for advanced etch processes

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Liste complète des métadonnées

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01947862
Contributeur : Marielle Clot <>
Soumis le : vendredi 7 décembre 2018 - 11:38:30
Dernière modification le : samedi 1 août 2020 - 03:03:27

Identifiants

  • HAL Id : hal-01947862, version 1

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Citation

Vahagn Martirosyan, Emilie Despiau-Pujo, Jérôme Dubois, Gilles Cunge, Olivier Joubert. Helium plasma modification of Si and Si 3 N 4 thin films for advanced etch processes. Journal of Vacuum Science and Technology A, American Vacuum Society, 2018, 36 (4), pp.041301. ⟨hal-01947862⟩

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