Helium plasma modification of Si and Si 3 N 4 thin films for advanced etch processes - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Vacuum Science & Technology A Année : 2018

Helium plasma modification of Si and Si 3 N 4 thin films for advanced etch processes

Domaines

Physique [physics]

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01947862

Soumis le : vendredi 7 décembre 2018-11:38:30

Dernière modification le : jeudi 18 avril 2024-12:45:31

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Dates et versions

hal-01947862 , version 1 (07-12-2018)

Identifiants

Citer

Vahagn Martirosyan, Emilie Despiau-Pujo, Jérôme Dubois, Gilles Cunge, Olivier Joubert. Helium plasma modification of Si and Si 3 N 4 thin films for advanced etch processes. Journal of Vacuum Science & Technology A, 2018, 36 (4), pp.041301. ⟨10.1116/1.5025152⟩. ⟨hal-01947862⟩

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