Effect of Thermal Annealing on Low-K Dielectrics for iBEOL in View of 3D Sequential Integration - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2018

Effect of Thermal Annealing on Low-K Dielectrics for iBEOL in View of 3D Sequential Integration

C. Guerin
  • Fonction : Auteur
P-L. Charvet
  • Fonction : Auteur
D. Nouguier
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01942970 , version 1 (03-12-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01942970 , version 1

Citer

S. Beaurepaire, V. Jousseaume, P. Gonon, A. Bsiesy, C. Guerin, et al.. Effect of Thermal Annealing on Low-K Dielectrics for iBEOL in View of 3D Sequential Integration. IEEE Int. Interconnect Technology Conference (IITC), 2018, Santa Clara, United States. pp 61-63. ⟨hal-01942970⟩
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