Effect of Thermal Annealing on Low-K Dielectrics for iBEOL in View of 3D Sequential Integration - Université Grenoble Alpes
Communication Dans Un Congrès Année : 2018

Effect of Thermal Annealing on Low-K Dielectrics for iBEOL in View of 3D Sequential Integration

S. Beaurepaire
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
V. Jousseaume
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
P. Gonon
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique
A. Bsiesy
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique
C. Guerin
  • Fonction : Auteur
N. Rochat
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
C. Licitra
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
P-L. Charvet
  • Fonction : Auteur
M. Veillerot
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
N. Rambal
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
D. Nouguier
  • Fonction : Auteur
D. Ney
  • Fonction : Auteur
STMicroelectronics [Crolles]
X. Federspiel
  • Fonction : Auteur
STMicroelectronics [Crolles]
C. Fenouillet-Beranger
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

Domaines

Physique [physics]

Marielle Clot  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01942970

Soumis le : lundi 3 décembre 2018-15:20:50

Dernière modification le : mardi 3 septembre 2024-11:16:05

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01942970 , version 1 (03-12-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01942970 , version 1

Citer

S. Beaurepaire, V. Jousseaume, P. Gonon, A. Bsiesy, C. Guerin, et al.. Effect of Thermal Annealing on Low-K Dielectrics for iBEOL in View of 3D Sequential Integration. IEEE Int. Interconnect Technology Conference (IITC), 2018, Santa Clara, United States. pp 61-63. ⟨hal-01942970⟩

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