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Communication dans un congrès

Assessment of GeSn surface wet treatment for prior to Atomic Layer Deposition of High-k Dielectrics

Type de document :
Communication dans un congrès
Liste complète des métadonnées

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01929247
Contributeur : Marielle Clot <>
Soumis le : mercredi 21 novembre 2018 - 09:53:31
Dernière modification le : jeudi 6 août 2020 - 03:38:06

Identifiants

  • HAL Id : hal-01929247, version 1

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Citation

M.A. Mahjoub, T. Haffner, J. Aubin, J.M. Hartmann, G. Ghibaudo, et al.. Assessment of GeSn surface wet treatment for prior to Atomic Layer Deposition of High-k Dielectrics. 2017 MRS Fall Meeting & Exhibit: Symposium PM03 : Interfaces and Interface Engineering in Inorganic Materials, Y. Chen, E. Bitzek, M.T. Perez Prado, D. Rowenhorst, Nov 2017, Boston, United States. ⟨hal-01929247⟩

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