Assessment of GeSn surface wet treatment for prior to Atomic Layer Deposition of High-k Dielectrics
M.A. Mahjoub
(1)
,
T. Haffner
(1)
,
J. Aubin
(2)
,
J.M. Hartmann
(2)
,
G. Ghibaudo
(3)
,
S. Labau
(1)
,
B. Pelissier
(1)
,
F. Bassani
(1)
,
T. Baron
(1)
,
B. Salem
(1)
1
LTM -
Laboratoire des technologies de la microélectronique
2 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
3 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
2 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
3 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
G. Ghibaudo
- Fonction : Auteur
- PersonId : 170596
- IdHAL : gerard-ghibaudo
- ORCID : 0000-0001-9901-0679
- IdRef : 069253099
F. Bassani
- Fonction : Auteur
- PersonId : 1188804
- IdHAL : franck-bassani
T. Baron
- Fonction : Auteur
- PersonId : 739925
- IdHAL : thierry-baron
- ORCID : 0000-0001-5005-6596
- IdRef : 130661813
B. Salem
- Fonction : Auteur
- PersonId : 174867
- IdHAL : bassem-salem
- ORCID : 0000-0001-8038-3205
- IdRef : 092216625