Accéder directement au contenu Accéder directement à la navigation
Communication dans un congrès

Low contact resistivity for GaAs, InAs, InGaAs epitaxially grown on 300mm Si(001) substrate by MOCVD

Type de document :
Communication dans un congrès
Liste complète des métadonnées

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01929219
Contributeur : Marielle Clot <>
Soumis le : mercredi 21 novembre 2018 - 09:42:47
Dernière modification le : jeudi 6 août 2020 - 03:38:04

Identifiants

  • HAL Id : hal-01929219, version 1

Collections

Citation

R. Alcotte, M. Martin, J. Moeyaert, T. Cerba, B. Salem, et al.. Low contact resistivity for GaAs, InAs, InGaAs epitaxially grown on 300mm Si(001) substrate by MOCVD. 17th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy (EW-MOVPE17), Jun 2017, Grenoble, France. pp.C1. ⟨hal-01929219⟩

Partager

Métriques

Consultations de la notice

122