Low contact resistivity for GaAs, InAs, InGaAs epitaxially grown on 300mm Si(001) substrate by MOCVD
R. Alcotte
(1)
,
M. Martin
(1)
,
J. Moeyaert
(1)
,
T. Cerba
(1)
,
B. Salem
(1)
,
S. David
(1)
,
F. Bassani
(1)
,
F. Ducroquet
(2)
,
Y. Bogumilowicz
(3)
,
T. Baron
(1)
1
LTM -
Laboratoire des technologies de la microélectronique
2 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
3 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
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3 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
B. Salem
- Fonction : Auteur
- PersonId : 174867
- IdHAL : bassem-salem
- ORCID : 0000-0001-8038-3205
- IdRef : 092216625
S. David
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F. Bassani
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- IdHAL : franck-bassani
F. Ducroquet
- Fonction : Auteur
- PersonId : 171005
- IdHAL : frederique-ducroquet
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- IdRef : 081930062
T. Baron
- Fonction : Auteur
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- IdHAL : thierry-baron
- ORCID : 0000-0001-5005-6596
- IdRef : 130661813