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Communication dans un congrès

Etching Mechanisms of SiN and SiO2 in NF3/NH3 downstream plasma

Type de document :
Communication dans un congrès
Liste complète des métadonnées

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01929199
Contributeur : Marielle Clot <>
Soumis le : mercredi 21 novembre 2018 - 09:28:49
Dernière modification le : samedi 1 août 2020 - 03:02:20

Identifiants

  • HAL Id : hal-01929199, version 1

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Citation

V. Renaud, E. Pargon, C. Petit-Etienne, J. P. Barnes, N. Rochat, et al.. Etching Mechanisms of SiN and SiO2 in NF3/NH3 downstream plasma. Plasma Etch and Strip in Microelectronics (PESM), 10th International Workshop, Oct 2017, leuven, Belgium. ⟨hal-01929199⟩

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