Etching Mechanisms of SiN and SiO2 in NF3/NH3 downstream plasma - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Etching Mechanisms of SiN and SiO2 in NF3/NH3 downstream plasma

Domaines

Physique [physics]

Marielle Clot  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01929199

Soumis le : mercredi 21 novembre 2018-09:28:49

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-20:53:28

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01929199 , version 1 (21-11-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01929199 , version 1

Citer

V. Renaud, E. Pargon, C. Petit-Etienne, J. P. Barnes, N. Rochat, et al.. Etching Mechanisms of SiN and SiO2 in NF3/NH3 downstream plasma. Plasma Etch and Strip in Microelectronics (PESM), 10th International Workshop, Oct 2017, leuven, Belgium. ⟨hal-01929199⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CEA UGA CNRS LTM PLASMA_ETCHING DRT LETI CEA-GRE
65 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More