Toward 3D integration of self-assembled horizontal Si and SiGe nanowires on CMOS chip - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Toward 3D integration of self-assembled horizontal Si and SiGe nanowires on CMOS chip

M. Merhej
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique
T. Honegger
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique
S. Ecoffey
F. Bassani
Laboratoire des technologies de la microélectronique
T. Baron
Laboratoire des technologies de la microélectronique
D. Peyrade
Laboratoire des technologies de la microélectronique
CV
S. Drouin
  • Fonction : Auteur
B. Salem
Laboratoire des technologies de la microélectronique

Domaines

Physique [physics]

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01891375

Soumis le : mardi 9 octobre 2018-15:00:23

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:42:00

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01891375 , version 1 (09-10-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01891375 , version 1

Citer

M. Merhej, T. Honegger, S. Ecoffey, F. Bassani, T. Baron, et al.. Toward 3D integration of self-assembled horizontal Si and SiGe nanowires on CMOS chip. 2017 EMRS Fall Meeting, 2017, Warsaw, Poland. ⟨hal-01891375⟩

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