Gate patterning strategies to reduce the gate shifting phenomenon for 14 nm fully depleted silicon-on-insulator technology - Université Grenoble Alpes
Article Dans Une Revue Journal of Vacuum Science & Technology A Année : 2017

Gate patterning strategies to reduce the gate shifting phenomenon for 14 nm fully depleted silicon-on-insulator technology

Domaines

Physique [physics]

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Soumis le : mardi 9 octobre 2018-13:43:25

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hal-01891224 , version 1 (09-10-2018)

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Citer

Onintza Ros, Erwine Pargon, Marc Fouchier, Pascal Gouraud, Sebastien Barnola. Gate patterning strategies to reduce the gate shifting phenomenon for 14 nm fully depleted silicon-on-insulator technology. Journal of Vacuum Science & Technology A, 2017, 35 (2), ⟨10.1116/1.4972228⟩. ⟨hal-01891224⟩

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