Accéder directement au contenu Accéder directement à la navigation
Article dans une revue

Gate patterning strategies to reduce the gate shifting phenomenon for 14 nm fully depleted silicon-on-insulator technology

Type de document :
Article dans une revue
Liste complète des métadonnées

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01891224
Contributeur : Marielle Clot <>
Soumis le : mardi 9 octobre 2018 - 13:43:25
Dernière modification le : samedi 1 août 2020 - 03:03:19

Identifiants

Collections

Citation

Onintza Ros, Erwine Pargon, Marc Fouchier, Pascal Gouraud, Sebastien Barnola. Gate patterning strategies to reduce the gate shifting phenomenon for 14 nm fully depleted silicon-on-insulator technology. Journal of Vacuum Science and Technology A, American Vacuum Society, 2017, 35 (2), ⟨10.1116/1.4972228⟩. ⟨hal-01891224⟩

Partager

Métriques

Consultations de la notice

263