Chlorine-based etching of InP laser : effect of plasma chemistry on sidewall roughness and damages - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Chlorine-based etching of InP laser : effect of plasma chemistry on sidewall roughness and damages

Domaines

Physique [physics]

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01882766

Soumis le : jeudi 27 septembre 2018-13:32:17

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-20:53:28

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Dates et versions

hal-01882766 , version 1 (27-09-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01882766 , version 1

Citer

G. Gay, E. Pargon, C. Petit-Etienne, M. Brihoum, S. Barnola, et al.. Chlorine-based etching of InP laser : effect of plasma chemistry on sidewall roughness and damages. 65th International AVS Symposium & Topical Conferences, Nov 2016, Nashville, USA, United States. ⟨hal-01882766⟩

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