Development of plasma etching processes for the integration of III-V semicondutors as trigate nMOSFET’s channels - Université Grenoble Alpes
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Development of plasma etching processes for the integration of III-V semicondutors as trigate nMOSFET’s channels

Domaines

Physique [physics]

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Soumis le : jeudi 27 septembre 2018-09:20:57

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Dates et versions

hal-01882457 , version 1 (27-09-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01882457 , version 1

Citer

M. Bizouerne, E. Pargon, P. Burtin, C. Petit-Etienne, E. Latu-Romain, et al.. Development of plasma etching processes for the integration of III-V semicondutors as trigate nMOSFET’s channels. Plasma Etch and Strip in Microelectronics (PESM), 9th International Workshop, May 2016, Grenoble, France. ⟨hal-01882457⟩

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