Development of plasma etching processes for the integration of III-V semicondutors as trigate nMOSFET’s channels - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Development of plasma etching processes for the integration of III-V semicondutors as trigate nMOSFET’s channels

Domaines

Physique [physics]

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01882457

Soumis le : jeudi 27 septembre 2018-09:20:57

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-20:53:28

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01882457 , version 1 (27-09-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01882457 , version 1

Citer

M. Bizouerne, E. Pargon, P. Burtin, C. Petit-Etienne, E. Latu-Romain, et al.. Development of plasma etching processes for the integration of III-V semicondutors as trigate nMOSFET’s channels. Plasma Etch and Strip in Microelectronics (PESM), 9th International Workshop, May 2016, Grenoble, France. ⟨hal-01882457⟩

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