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Communication dans un congrès

Development of plasma etching processes for the integration of III-V semicondutors as trigate nMOSFET’s channels

Type de document :
Communication dans un congrès
Liste complète des métadonnées

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01882457
Contributeur : Marielle Clot <>
Soumis le : jeudi 27 septembre 2018 - 09:20:57
Dernière modification le : mardi 6 octobre 2020 - 16:30:04

Identifiants

  • HAL Id : hal-01882457, version 1

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Citation

M. Bizouerne, E. Pargon, P. Burtin, C. Petit-Etienne, E. Latu-Romain, et al.. Development of plasma etching processes for the integration of III-V semicondutors as trigate nMOSFET’s channels. Plasma Etch and Strip in Microelectronics (PESM), 9th International Workshop, May 2016, Grenoble, France. ⟨hal-01882457⟩

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