Processes Plasma etching of InP using Cl2/CH4/Ar for hybrid photonic integration on silicon - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Processes Plasma etching of InP using Cl2/CH4/Ar for hybrid photonic integration on silicon

Domaines

Physique [physics]

Marielle Clot  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01882455

Soumis le : jeudi 27 septembre 2018-09:18:05

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:01:23

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01882455 , version 1 (27-09-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01882455 , version 1

Citer

G. Gay, E. Pargon, C. Petit-Etienne, M. Brihoum, S. Barnola. Processes Plasma etching of InP using Cl2/CH4/Ar for hybrid photonic integration on silicon. Plasma Etch and Strip in Microelectronics (PESM), 9th International Workshop, May 2016, Grenoble, France. ⟨hal-01882455⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CEA UGA CNRS LTM PLASMA_ETCHING
32 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More